高峰對話｜國微芯創新EDA技術閃耀首屆IDAS峰會
9月18日，首屆IDAS設計自動化產業峰會在武漢隆重舉行，大會以“揚帆”為主題，國內外1000多位IC精英共襄盛舉。國微芯執行總裁兼CTO白耿先生、研發經理杜杳雋博士分別發表了主題為《基于Partition的物理驗證分布式處理》和《反演光刻技術--SRAF種子生成及機器學習加速》的演講，展示了國微芯在國內IC物理實現和晶圓制造領域領先的EDA技術。
演講亮點回顧
基于Partition的物理驗證分布式處理方案
在白耿先生的演講中，他詳細介紹了國微芯應對不斷增長的版圖和復雜設計規則所采用的分布式處理方案。該方案將整個芯片設計劃分為多個獨立的Partition，并將它們分配給不同的處理單元，以實現并行處理。國微芯的物理驗證DP（Design Process）結構支持各種環境和配置，可以運行全部或僅選定的partitions/patches。這種分布式處理方式顯著提升了芯片設計的速度和效率，同時有效降低成本，確保結果與單機處理一致。此外，國微芯還提供了一系列產品，如EsseDiff、EsseFill、EsseColor、EsseRV、EsseDRC和EsseLVS等，以支持該方案的實施和應用。
分布式處理結構示意圖
OOVF提升分布式方案處理效能
OOVF是國微芯擁有獨立知識產權的面向對象的物理驗證語言，應用于國微芯的物理驗證分布式處理方案中。
相較于傳統物理驗證語言，OOVF具備簡潔直觀的語法和強大的filter，能夠更加簡單地描述各種幾何對象及其屬性，從而快速篩選符合特定條件的圖形。在分布式處理中，充分利用OOVF可以實現對驗證任務的精確控制，從而提高驗證效率和速度。
反演光刻技術指導SRAF種子生成
SRAF是在掩膜主圖形附近插入的細小圖形，用于優化掩膜和生成更好的印刷晶圓圖像，使得最終制造出來的芯片達到局部最優的圖形密度。
SRAF生成流程
國微芯采用反演光刻技術（ILT）引導SRAF生成。在ILT算法中，首先基于掩膜的主要圖形生成一個連續傳輸掩膜（CTM），該CTM能夠準確反映光刻機實際的光傳輸情況。隨后，根據這個CTM，我們篩選出SRAF的種子，并對它們進行引導，促使它們逐漸生長成完整的SRAFs。
迭代前后EPE（邊緣放置誤差）對比
最后，國微芯還利用機器學習算法對生成的SRAF進行微調，以得到更好的印刷晶圓圖像質量。機器學習算法可以快速推斷出最優解，并且可以自適應地調整參數以獲得更好的性能，為國內的Foundry提供有力的技術支持。
本次IDAS峰會為國微芯提供了一個展示前沿技術的寶貴機會。通過基于Partition的物理驗證分布式處理方案、面向對象的物理驗證語言（OOVF）以及反演光刻技術的應用，國微芯不僅提高了芯片物理驗證和晶圓制造的效率，還為半導體行業的發展貢獻了獨特的見解和解決方案。國微芯將繼續探索和創新，推動IC設計和制造領域的不斷進步，以滿足不斷增長的市場需求，為技術發展揚帆起航。
